On remarque que cette énergie est supérieure au E Gap d’un semi-conducteur donc si ce matériau absorbe ce photon, il lui donnera assez d’énergie pour le monter dans la bande de conduction et permettre à cet électron de produire un courant électrique. semi conducteurs les semi-conducteurs, possédant un faible gap (0 < Egap ≤ 3 eV). Jean-Yves DUBOZ : Chef du Laboratoire de Physique des Composants au Laboratoire Central de Recherches de Thomson-CSF G aN, un semi-conducteur nouveau : les semi-conducteurs sont caractérisés par leur bande interdite ou gap, qui sépare les derniers états occupés de la bande de valence et les états libres suivants dans la bande de conduction. Bandes interdites directes et indirectes - fr.macedoniabaptist.info Cependant ce type de matériau ayant une énergie de gap plus faible que l'isolant (~1eV), aura de par l'agitation thermique (T=300K), une bande de conduction légèrement peuplée d'électrons et une bande de valence légèrement dépeuplée. Ce diagramme permet de définir spatialement les extrema des bandes de conduction et de valence. Le comportement des semi-conducteurs, comme celui des métaux et des isolants est décrit via la théorie des bandes. CHAPITRE I Généralités sur les technologies des cellules solaires 1.3. de puissance se basent sur des semi‐conducteurs à large gap comme le GaN (Eg ... ("wafers", d’un diamètre jusqu’à 450 mm) de la matière monocristalline sont fabriqués. Pour cela, on mesure la conductivité du matériau en fonction de sa température. Détermination du gap d'énergie d'un semi-conducteur Cette manipulation est réalisée par Mahmoud BEN HASSENA Malek FALEH But de la manipulation: Le but de cette manipulation est de déterminer la nature d'un semi-conducteur après calcul de son énergie de gap.